Lugar de origem
Jiangsu, China
Tensão de entrada (V)
3-3.4
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Instalação do projeto
Tempo de vida (horas)
100000
Material da microplaqueta
InGaN
Intensidade luminosa
20lm/w
Atenuação ótica (%)
0.0001
Dissipação de poder
0.001
Ângulo de visão (°)
140 DEG
Índice de rendição de cor (Ra)
70
Temperatura de funcionamento (℃)
-30-80
Temperatura de armazenamento (℃)
-30 - 120
Marca de chip
Chip taiwan 45x45mil
Comprimento de onda
365nm
Dissipador de calor
Disponível 20mm e oem pcb módulo
Aplicação
Luz de parede/luz do hotel/luz da vela
Solda de refluxo
Grau 190/grau 260
Lente
Lente pc/lente de silício
Lente secundária
15/30/45/60/90/120 com suporte
Tempo de trabalho (horas)
100000