Tipo de montagem
SMD/SMT, Through Hole
Descrição descrição:
TRANSISTORS
Lugar de origem
Guangdong, China
Temperatura de Operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Fornecedor
Fabricante original, ODM, Agência, Varejista
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados, Foto
品名
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
Atual-Collector (Ic) (Max)
-
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
-
Atual-Collector Cutoff (Max)
-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Resistor-Emissor Base (R2)
-
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
900V, 900 V
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
4A (Tc), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V, 4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250uA, 5V @ 250uA
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V, 22 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
960pF @ 25V, 960 pF @ 25 V
Classificação da corrente (Ampères)
-
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
-
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
-
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo de corrente (Id)-Max
-
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
-
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
47W (Tc)
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