Descrição descrição:
Medium power transistors
Lugar de origem
Guangdong, China
Aplicação
Electronic product
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Temperatura de operação
-
Resistor-Emissor Base (R2)
-
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
-
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
-
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
-
Classificação da corrente (Ampères)
-
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
-
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
-
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo de corrente (Id)-Max
-
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
-
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
-
Key words
Medium power transistors
