Lugar de origem
California, United States
Características características:
-
Código de data de fabricação
-
Número do produto do fabricante
2n6491g
Estilo de montagem
Através do buraco
Polaridade do transistor
Pnp
Vceo de tensão coletor-emissor max
80 v
Coletor-base de tensão vcbo
90 v
Emissor-base de tensão vebo
5 v
Tensão de saturação do coletor-emissor
3.5 v
Coletor de corrente máxima dc
15 a