Descrição descrição:
Transistor
Lugar de origem
Guangdong, China
Temperatura de Operação
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Atual-Collector (Ic) (Max)
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Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
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Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
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Atual-Collector Cutoff (Max)
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Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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Temperatura de operação
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Resistor-Emissor Base (R2)
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Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
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Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
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Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
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Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
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Classificação da corrente (Ampères)
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Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
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Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
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Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
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Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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Consumo de corrente (Id)-Max
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Tensão-Corte (VGS off) @ Id
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Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
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Pd-dissipação de energia:
625 mw
Coletor-base de tensão vcbo:
40 v
Produto de ganho de largura de banda ft:
250 mhz
Dc ganho atual hfe max:
100
Temperatura máxima de operação:
+ 150 c
