Lugar de origem
Guangdong, China
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Material da microplaqueta
InGaN
Emitindo-se a cor
Tri-Color (Vermelho-Azul-Verde)
Intensidade luminosa
30000-40000mcd
Fluxo luminoso (lm)
300lm
Índice de rendição de cor (Ra)
75
Temperatura de cor
2700-6500 k
Temperatura de funcionamento (℃)
-25 - 65
Temperatura de armazenamento (℃)
-30 - 85