Tipo de montagem
Através do buraco
Descrição descrição:
1 n-canal de energia mosfet
Temperatura de Operação
-55 °C ~ 150 °C
Aplicação
Finalidade geral
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Temperatura de operação
-55℃ ~ 150℃
Tipo de Montagem
Montagem Em superfície
Resistor-Emissor Base (R2)
-
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
1500 v
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
2.5 um
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
29.3 nc
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
-
Classificação da corrente (Ampères)
-
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
-
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
-
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo de corrente (Id)-Max
-
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
-
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
-
Tipo de Transistor
1 n-canal de energia mosfet
Estilo de montagem
Smd/smt
Tempo de espera
Imediatamente envio
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Condição
100% novo 100% original