Lugar de origem
Jiangsu, China
Tensão de entrada (V)
1.9-2.4
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Instalação do projeto
Tempo de vida (horas)
100000
Material da microplaqueta
InGaN
Emitindo-se a cor
620-625-630-660nm
Intensidade luminosa
100lm/w
Fluxo luminoso (lm)
90-100lm
Atenuação ótica (%)
0.0001
Dissipação de poder
0.001
Ângulo de visão (°)
120/140 DEG
Índice de rendição de cor (Ra)
70
Temperatura de funcionamento (℃)
-30-80
Temperatura de armazenamento (℃)
-30 - 120
Marca de chip
Epileds 42x42mil
Lúmens
90-100lm (620-630nm) 70-80lm(660nm)
Chip
Taiwan de alta qualidade
Dissipador de calor
20mm ou oem pcb
Solda
190 de solda por refluxo-260 grau <3nds
Eficiência luminosa da lâmpada (lm/w)
80