NGTB50N120FL2WG Produtos semicondutores discretos Transistores Igbts IGBT 1200V 100A 535W TO247 NGTB50N120FL2WG

Name: NGTB50N120FL2WG Produtos semicondutores discretos Transistores Igbts IGBT 1200V 100A 535W TO247 NGTB50N120FL2WG
Brand: Shenzhen Beswho Electronic Technology Co., Ltd.
SKU: 1601296206272
Price: 1.13 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Beswho Electronic Technology Co., Ltd.

Fornecedor com várias especialidades 6 yrs

NGTB50N120FL2WG Produtos semicondutores discretos Transistores Igbts IGBT 1200V 100A 535W TO247 NGTB50N120FL2WG

Principais propriedades

Propriedades industriais

Número do Modelo

NGTB50N120FL2WG

Tipo

Igbt

Marca

original

Tipo do pacote

Padrão

Outras propriedades

Tipo de montagem

Através do buraco

Descrição descrição:

Igbt 1200v 100a 535w to247

Lugar de origem

original

Pacote/Caixa

Padrão

Tipo

Padrão

Temperatura de Operação

-55 °c ~ 175 °c (tj)

Série

d/c

Padrão

Aplicação

Padrão

Tipo de Fornecedor

Padrão

Referência cruzada:

Padrão

品名

Original

Atual-Collector (Ic) (Max)

100 um

Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)

1200 v

Atual-Collector Cutoff (Max)

200 um

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de Montagem

Através do orifício

Número da peça

Ngtb50n120fl2wg

Qualidade

100% marca 100% original

Pagamento

Paypal \ tt \ western union \ trade assurance

Envio

Dhl \ fedex \ ups \ tnt \ epack \ china post

Tempo de espera

1-7 dias de trabalho

Serviço

Bom serviço one-stop

Embalagem e entrega

Unidades de Venda:

Item único

Tamanho da embalagem única:

XX cm

Peso bruto único:

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Quantidade

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Negociável

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Tempo estimado (dias)	5	7	Negociável

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Propriedades industriais

Outras propriedades

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