Descrição descrição:
40n120 to247
Lugar de origem
Jiangsu, China
Temperatura de Operação
Nulo
Aplicação
Soldador elétrico
Tipo de Fornecedor
Fabricante original
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados
Atual-Collector (Ic) (Max)
Padrão
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
Padrão
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
Padrão
Atual-Collector Cutoff (Max)
Padrão
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Padrão
Freqüência-Transição
Padrão
Temperatura de operação
Padrão
Tipo de Montagem
Através do orifício
Resistor-Base (R1)
Padrão
Resistor-Emissor Base (R2)
Padrão
FET Recurso
Carboneto de silício (SiC)
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
Padrão
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
Padrão
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Padrão
Vgs (th) (Max) @ Id
Padrão
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
Padrão
Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds
Padrão
Classificação da corrente (Ampères)
Padrão
Tensão-Classificado
Padrão
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
Padrão
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Padrão
Capacitância de entrada (Cas) @ Vce
Padrão
Tensão-Repartição (V (BR) GSS)
Padrão
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Padrão
Consumo de corrente (Id)-Max
Padrão
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
Padrão
-Resistência RDS (On)
Padrão
Da tensão de Saída-
Padrão
Tensão-Offset (Vt)
Padrão
Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)
Padrão
Tipo
Transistor de efeito de campo
Nome do produto
Poder 40n120 igbt
Uso
Componentes eletrônicos
Lugar de origem:
Jiangsu, china (continente)
Condição:
Novo & não utilizado, original selado
Garantia de qualidade:
365 dias